1：STM32的4GB的存储器映射的包含内容：FLASH,RAM,FSMC,AHB与APB桥(APB1，APB2即片上外设)，
注：FSMC(Flexible static memory controller)本质上是一个外设，可以扩展内存，如SRAM，但注意只能扩展静态内存即static,而不能是动态的，如SDRAM
2：如下图，4GB的存储映射被分为了8块，每块512M，
BLOCK0：Flash（Code区）,用来存放程序
BLOCK1：SRAM，也可以存放程序用于固件升级
BLOCK2: 片上外设
BLOCK3&BLOCK4&BLCOK5：FSMC外部RAM
BLOCK6：未使用
BLOCK7: Cortex-M3的内核外设
... 存储器映射
3：对BLOCK0进行细分：
3.1:0x0000 0000~0x0007 FFFF：取决于Boot引脚的配置，为FLASH,SRAM,系统存储区进行映射
根据管脚的配置，将不同物理地址映射到第0块的0x0000 0000(启动存储区)
3.2: 0x0800 0000~0x0807 FFFF:程序存放区域
3.3:0x1FFF F000~0x1FFF F7FF:系统存储区，也就是System memory,存放厂商烧写好的isp自举程序（Bootloader），我么使用串口进行程序下载时便会用到这段自举程序
3.4：选项字节区域(Option Bytes):用来配置读写保护，BOR级别，软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位，当芯片不小心被锁住之后，可以从RAM里面修改对应的寄存器位
FLASH编程（STM32）：
...
1：FLASH必须在内部或者高速时钟下才能使用
2：内部FLASH空间主要存储的是应用程序，为了防止程序出错所对flash的错误操作，芯片复位后会默认对flash控制寄存器上锁，所以写入前需要先解锁FLASH_Unlock()
3：主存储器页的大小视芯片型号不同，每个页有1k或2k大小（使用超大容量、中容量或小容量产品，它们主存储器的页数量、页大小均有不同），
4：对flash每次操作之前必须要写擦除数据然后才能写入，而对flash的擦除，不能以字节进行擦除，而是要以页的方式进行擦除，而STM32固件库函数FLASH_ErasePage()参数中只要给定该页里的任何一个地址那么就会将该页进行擦除
